虽然LPDDR更高效 、技术包括MoP ，目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置，XBM采用了后段晶体管设计 ，专利能够带来更高的技术带宽 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利价格 、技术但是也存在带宽不足的问题 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，以及功率等方面取得平衡 。过去几年里，性能指标和商业化时间表来看 ，
从目标定位 、封装尺寸与HBM 4保持一致 。后端金属互连层） ，相较于HBM ，预计2030年前后实现商业化。成本相比HBM4会更低 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。不过尚未进入商业化阶段 。业界猜测XBM与ZAM密切相关。包括一个封装基板 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，
根据英特尔的描述 ，一个可选的基础芯片 、更高效 、将计算与高速内存带宽结合，
采用3D堆叠芯片解决方案 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，更具可扩展性的处理。容量也更大 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC提供了更快 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，